DRAM (Dynamic Random-Access Memory, Dynamic RAM — «динамическая память с прямым доступом»), динамическое ОЗУ — микросхема быстродействующей оперативной памяти персонального компьютера, которая отличается тем, что теряет свое содержимое, если не считывается в течение 2-х миллисекунд. DRAM работает медленнее, чем альтернативный вид полупроводниковой памяти SRAM, однако стоит дешевле его.
В памяти динамического типа биты представляются в виде отсутствия и наличия заряда на конденсаторе в структуре полупроводникового кристалла. Каждый бит информации записывается в отдельной ячейке памяти, состоящей из конденсатора (запоминающего элемента) и транзистора (ключа). Наличие заряда на конденсаторе соответствует 1 в двоичном коде, отсутствие — 0. Транзистор при переключении дает возможность считывать бит информации или записывать новый бит в пустую ячейку памяти. Микросхемы DRAM организованы в виде квадратной матрицы, пересечение каждого столбца и строки которой задает адрес соответствующих элементарных ячеек. Считывание адреса строки происходит, когда на вход матрицы подается стробирующий импульс строки — RAS (Row Address Strobe), а считывание адреса столбца — при подаче стробирующего импульса столбца — CAS (Column Address Strobe). Импульсы RAS и CAS подаются друг за другом. Адреса строки и столбца передаются по специальной мультиплексированной шине адреса MA (Multiplexed Address). Динамическая память выполняется в вариантах синхронном и асинхронном. В последнем случае установка адреса, подача управляющих сигналов и чтение/запись данных могут выполняться в произвольные моменты времени. В современных ПК наибольшее распространение синхронный доступ (SDRAM), т.е. периоды чтения/записи памяти согласовываются с работой процессора единым тактовым генератором.