Память (memory, storage) — среда или функциональная часть компьютера, предназначенная для приема, хранения и избирательной выдачи данных.
Технически реализуется в виде запоминающих устройств (ЗУ, например, оперативного запоминающего устройства (ОЗУ), постоянного запоминающего устройства (ПЗУ) и т.д.). Данные в современных персональных компьютерах (ПК) представлены в виде битов, поэтому объем памяти здесь измеряется в байтах (килобайтах, мегабайтах, гигабайтах и т.д.). Данные, которые используются в текущей работе компьютера, хранятся в так называемой внутренней памяти (в т.ч. оперативной, постоянной и кэш-памяти). Оперативная и кэш-память являются энергозависимыми — данные сохраняются в них временно, вплоть до выключения электропитания компьютера, причем в динамической памяти (в отличие от статической) требуется постоянное обновление (регенерация) данных. Для долговременного хранения данных используют различные виды энергонезависимой (данные сохраняются независимо от поддержки электропитания компьютера) внешней памяти, в т.ч. магнитные и оптические накопители (жесткие диски, гибкие диски, магнитные ленты, компакт-диски), флэш-память. Различные устройства оперативной и кэш-памяти, выполняя роль буфера (напр., ОЗУ — между процессором и устройствами внешней памяти, кэш-память — между процессором и оперативной памятью), применяются с целью увеличения производительности компьютера, так как обладают большим быстродействием нежели другие (внешние) устройства памяти. В свою очередь устройства внешней памяти более дешевы (в расчете на единицу хранимой информации) и позволяют длительно хранить намного большие объемы данных. Логически память состоит из ячеек, способных хранить минимальную порцию информации (1 бит) и обладающих адресами, по которым происходит обращение в процессе чтения/записи. Способ обращения к устройствам памяти с целью чтения/записи информации получил название доступа; время, необходимое для чтения/записи минимальной порции данных, соответственно называется временем доступа и измеряется в долях секунды (микросекунда, наносекунда и т.д.).
Устройства памяти различаются по конструкции и технологии изготовления, максимальной емкости, времени и способу (произвольный (напр., для ОЗУ), последовательный, стековый) доступа, пропускной способности, возможности записи (перезаписи), ее плотности, интерфейсам, форм-факторам, разрядности, адресации и др. показателям. Ниже приводятся некоторые классификации видов и устройств памяти.
В зависимости от возможности записи и перезаписи данных, устройства памяти подразделяется на следующие типы:
— память (ЗУ) с записью-считыванием (read/write memory) — тип памяти, дающей возможность пользователю помимо считывания данных производить их исходную запись, стирание и/или обновление. К этому виду могут быть отнесены оперативная память, кэш-память и ППЗУ (см. далее);
— постоянная память, постоянное ЗУ, ПЗУ (Read Only Memory, ROM);
— программируемая постоянная память, программируемое ПЗУ, ППЗУ (PROM, Programmable Read-Only Memory).
— память (ЗУ) с записью-считыванием (read/write memory) — тип памяти, дающей возможность пользователю помимо считывания данных производить их исходную запись, стирание и/или обновление. К этому виду могут быть отнесены оперативная память, кэш-память и ППЗУ (см. далее);
— постоянная память, постоянное ЗУ, ПЗУ (Read Only Memory, ROM);
— программируемая постоянная память, программируемое ПЗУ, ППЗУ (PROM, Programmable Read-Only Memory).
Различия видов памяти по виду физического носителя и способа записи данных:
— акустическая память (acoustic storage) — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения данных замкнутые акустические линии задержки;
— голографическая память (holographic storage) — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения графической объемной (пространственной) информации голограмм;
— емкостная память (capacitor storage) — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения данных конденсаторы;
— криогенная память (cryogenic storage) — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения данных материалы, обладающие сверхпроводимостью;
— лазерная память (laser storage) — вид памяти (ЗУ), в котором запись и считывание данных производятся лучом лазера (см. компакт-диск);
— магнитная память (magnetic storage) — вид памяти (ЗУ), использующий магнитный материал в качестве среды для записи и хранения данных. Разновидностями этого вида памяти являются память на магнитной проволоке (plated wire memory), память на магнитной пленке (thin-film memory), наносимой на некоторую подложку, например стеклянную. Наиболее широко использующимися устройствами реализации магнитной памяти в современных компьютерах являются накопители на магнитных лентах (НМЛ), магнитных (жестких и гибких) дисках (НЖМД и НГМД);
— магнитооптическая память(magnetooptics storage) — вид памяти, использующий магнитный материал, запись данных на который возможна только при нагреве до температуры Кюри (порядка 1450 С), осуществляемом в точке записи лучом лазера (объем записи на стандартные 3.5 и 5, 25 дюймовые гибкие диски составляет при этом соответственно до 600 Мбайт и 1, 3 Гбайта). В 2002 фирма Fujitsu выпустила магнитооптические накопители DynaMO 2300U2 и дискеты к ним (стандартный размер дискет 3, 5 дюйма) емкостью 2, 3 Гбайт. См. также Магнитооптический накопитель»;
— молекулярная память (molecular storage) — вид памяти, использующей технологию «атомной тунельной микроскопии», в соответствии с которой запись и считывание данных производится на молекулярном уровне. Носителями информации являются специальные виды пленок. Головки, считывающие данные, сканируют поверхность пленки. Их чувствительность позволяет определять наличие или отсутствие в молекулах отдельных атомов, на чем и основан принцип записи/считывания данных. В середине 1999 эта технология была продемонстрирована фирмой Nanochip. В основе архитектуры устройств записи/считывания лежит технология MARE (Molecular Array Read/write Engine). Достигнуты следующие показатели по плотности упаковки: ~40 Гбит/см2 в устройствах чтения/записи и 128 Гбит/см2 в устройствах с однократной записью, что считается в 6 раз выше, чем у экспериментальных образцов, которые основаны на классической технологии магнитной записи, и более чем в 25 раз превосходит лучшие ее образцы, находящиеся в серийном производстве;
— полупроводниковая память (semiconductor storage) — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве средств записи и хранения данных микроэлектронные интегральные схемы (БИС и СБИС). Преимущественное применение этот вид памяти получил в постоянных запоминающих устройствах и, в частности, в качестве оперативной памяти ПК, поскольку он характеризуется высоким быстродействием. Сравнительно недавно объем памяти, реализуемой на одной твердотельной (полупроводниковой) плате, ограничивался единицами Мбайт. Однако в настоящее время рядом фирм США, Японии и Европы разработана миниатюрная плата памяти с габаритами 38х33х3, 5 мм, объемом памяти до нескольких Гбайт и уже принят соответствующий международный стандарт. Это позволяет существенно расширить использование твердотельной памяти, в том числе в качестве устройств внешней памяти ПК и в других применениях. (См. Флэш-память);
— ферритовая память (core storage) — вид оперативной памяти на ферритовых сердечниках;
— фазоинверсная (PCR) память (PCR, Phase Change Rewritable storage) — разновидность лазерной (дисковой) памяти, использующей свойства некоторых полимерных материалов в точке лазерного нагрева в зависимости от температуры изменять фазовое состояние вещества (в частности кристаллизоваться или плавиться с возвращением в исходное состояние), а вместе с ним — и характеристики отражения. Указанная технология позволяет создавать оптические диски (650 Мбайт) для многократной перезаписи данных. Разработкой данной технологии занимается ряд фирм, включая Panasonic, Toshiba и Matsushita;
— электростатическая память (electrostatic storage) — вид памяти (ЗУ), в котором носителями данных являются накопленные заряды статического электричества на поверхности диэлектрика.
— акустическая память (acoustic storage) — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения данных замкнутые акустические линии задержки;
— голографическая память (holographic storage) — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения графической объемной (пространственной) информации голограмм;
— емкостная память (capacitor storage) — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения данных конденсаторы;
— криогенная память (cryogenic storage) — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения данных материалы, обладающие сверхпроводимостью;
— лазерная память (laser storage) — вид памяти (ЗУ), в котором запись и считывание данных производятся лучом лазера (см. компакт-диск);
— магнитная память (magnetic storage) — вид памяти (ЗУ), использующий магнитный материал в качестве среды для записи и хранения данных. Разновидностями этого вида памяти являются память на магнитной проволоке (plated wire memory), память на магнитной пленке (thin-film memory), наносимой на некоторую подложку, например стеклянную. Наиболее широко использующимися устройствами реализации магнитной памяти в современных компьютерах являются накопители на магнитных лентах (НМЛ), магнитных (жестких и гибких) дисках (НЖМД и НГМД);
— магнитооптическая память(magnetooptics storage) — вид памяти, использующий магнитный материал, запись данных на который возможна только при нагреве до температуры Кюри (порядка 1450 С), осуществляемом в точке записи лучом лазера (объем записи на стандартные 3.5 и 5, 25 дюймовые гибкие диски составляет при этом соответственно до 600 Мбайт и 1, 3 Гбайта). В 2002 фирма Fujitsu выпустила магнитооптические накопители DynaMO 2300U2 и дискеты к ним (стандартный размер дискет 3, 5 дюйма) емкостью 2, 3 Гбайт. См. также Магнитооптический накопитель»;
— молекулярная память (molecular storage) — вид памяти, использующей технологию «атомной тунельной микроскопии», в соответствии с которой запись и считывание данных производится на молекулярном уровне. Носителями информации являются специальные виды пленок. Головки, считывающие данные, сканируют поверхность пленки. Их чувствительность позволяет определять наличие или отсутствие в молекулах отдельных атомов, на чем и основан принцип записи/считывания данных. В середине 1999 эта технология была продемонстрирована фирмой Nanochip. В основе архитектуры устройств записи/считывания лежит технология MARE (Molecular Array Read/write Engine). Достигнуты следующие показатели по плотности упаковки: ~40 Гбит/см2 в устройствах чтения/записи и 128 Гбит/см2 в устройствах с однократной записью, что считается в 6 раз выше, чем у экспериментальных образцов, которые основаны на классической технологии магнитной записи, и более чем в 25 раз превосходит лучшие ее образцы, находящиеся в серийном производстве;
— полупроводниковая память (semiconductor storage) — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве средств записи и хранения данных микроэлектронные интегральные схемы (БИС и СБИС). Преимущественное применение этот вид памяти получил в постоянных запоминающих устройствах и, в частности, в качестве оперативной памяти ПК, поскольку он характеризуется высоким быстродействием. Сравнительно недавно объем памяти, реализуемой на одной твердотельной (полупроводниковой) плате, ограничивался единицами Мбайт. Однако в настоящее время рядом фирм США, Японии и Европы разработана миниатюрная плата памяти с габаритами 38х33х3, 5 мм, объемом памяти до нескольких Гбайт и уже принят соответствующий международный стандарт. Это позволяет существенно расширить использование твердотельной памяти, в том числе в качестве устройств внешней памяти ПК и в других применениях. (См. Флэш-память);
— ферритовая память (core storage) — вид оперативной памяти на ферритовых сердечниках;
— фазоинверсная (PCR) память (PCR, Phase Change Rewritable storage) — разновидность лазерной (дисковой) памяти, использующей свойства некоторых полимерных материалов в точке лазерного нагрева в зависимости от температуры изменять фазовое состояние вещества (в частности кристаллизоваться или плавиться с возвращением в исходное состояние), а вместе с ним — и характеристики отражения. Указанная технология позволяет создавать оптические диски (650 Мбайт) для многократной перезаписи данных. Разработкой данной технологии занимается ряд фирм, включая Panasonic, Toshiba и Matsushita;
— электростатическая память (electrostatic storage) — вид памяти (ЗУ), в котором носителями данных являются накопленные заряды статического электричества на поверхности диэлектрика.
По назначению, организации памяти и/или доступа к ней различаются:
— автономная память, автономное ЗУ (off-line storage) — вид памяти (ЗУ), не допускающий прямого доступа к ней со стороны центрального процессора: обращение к ней, а также управление ею производится вводом в систему специальных команд и через посредство оперативной памяти;
— адресуемая память (addressed memory) — вид памяти (ЗУ), к которой может непосредственно обращаться центральный процессор;
— ассоциативная память, ассоциативное ЗУ, АЗУ (associative memory, content-addressable memory, CAM) — вид памяти (ЗУ), в котором адресация осуществляется на основе содержания данных, а не их местоположения, чем обеспечивается ускорение поиска необходимых записей. С указанной целью поиск в ассоциативной памяти производится на основе определения содержания в той или иной ее области (ячейке памяти) слова, словосочетания, символа и т.п., являющихся поисковыми признаками. Существуют различные методы реализации АЗУ, в том числе использующие методы поиска основанные на ‛точном совпадении‛, ‛близком совпадении‛, ‛маскировании‛ слова-признака и т.д., а также различные процедуры реализации поиска, например, кэширования с целью производства ‛наилучшей оценки‛ истинного адреса, за которой следует проверка содержимого ячейки с вычисленным адресом. Некоторые ассоциативные ЗУ строятся по принципу последовательного, другие — параллельного сравнения признаков поиска (так называемые ортогональные ЗУ). Параллельные ассоциативные ЗУ нашли применение в организации кэш-памяти и виртуальной памяти;
— буферная память, буферное ЗУ (buffer storage) — вид памяти (ЗУ), предназначенный для временного хранения данных при обмене ими между различными устройствами компьютера;
— виртуальная память (virtual memory):
— автономная память, автономное ЗУ (off-line storage) — вид памяти (ЗУ), не допускающий прямого доступа к ней со стороны центрального процессора: обращение к ней, а также управление ею производится вводом в систему специальных команд и через посредство оперативной памяти;
— адресуемая память (addressed memory) — вид памяти (ЗУ), к которой может непосредственно обращаться центральный процессор;
— ассоциативная память, ассоциативное ЗУ, АЗУ (associative memory, content-addressable memory, CAM) — вид памяти (ЗУ), в котором адресация осуществляется на основе содержания данных, а не их местоположения, чем обеспечивается ускорение поиска необходимых записей. С указанной целью поиск в ассоциативной памяти производится на основе определения содержания в той или иной ее области (ячейке памяти) слова, словосочетания, символа и т.п., являющихся поисковыми признаками. Существуют различные методы реализации АЗУ, в том числе использующие методы поиска основанные на ‛точном совпадении‛, ‛близком совпадении‛, ‛маскировании‛ слова-признака и т.д., а также различные процедуры реализации поиска, например, кэширования с целью производства ‛наилучшей оценки‛ истинного адреса, за которой следует проверка содержимого ячейки с вычисленным адресом. Некоторые ассоциативные ЗУ строятся по принципу последовательного, другие — параллельного сравнения признаков поиска (так называемые ортогональные ЗУ). Параллельные ассоциативные ЗУ нашли применение в организации кэш-памяти и виртуальной памяти;
— буферная память, буферное ЗУ (buffer storage) — вид памяти (ЗУ), предназначенный для временного хранения данных при обмене ими между различными устройствами компьютера;
— виртуальная память (virtual memory):
1) способ организации памяти, в соответствии с которым часть внешней памяти компьютера используется для расширения ее внутренней (основной, оперативной) памяти. Например, содержимое некоторой области, не используемой в данный момент времени внутренней памяти, хранится на жестком диске и возвращается в оперативную память по мере необходимости;
2) область (пространство) памяти, предоставляемая отдельному пользователю или группе пользователей и состоящая из основной и внешней памяти компьютера, между которыми организован так называемый постраничный обмен данными. С указанной целью все адресное пространство делится на страницы памяти. Поиск адресов страниц производится в ассоциативной памяти;
2) область (пространство) памяти, предоставляемая отдельному пользователю или группе пользователей и состоящая из основной и внешней памяти компьютера, между которыми организован так называемый постраничный обмен данными. С указанной целью все адресное пространство делится на страницы памяти. Поиск адресов страниц производится в ассоциативной памяти;
— временная память (temporary storage) — специальное запоминающее устройство или часть оперативной памяти, резервируемые для хранения промежуточных результатов обработки;
— вспомогательная память (auxiliary storage) — часть памяти компьютера, охватывающая внешнюю и наращенную оперативную память;
— вторичная память (secondary storage) — вид памяти, который в отличие от основной памяти имеет большее время доступа, основывается на блочном обмене, характеризуется большим объемом и служит для разгрузки основной памяти;
— гибкая память (elastic storage) — вид памяти, позволяющей хранить переменное число данных, пересылать (выдавать) их в той же последовательности, в которой принимает, и варьировать скорость вывода;
— дополнительная память (add-in memory) — вид устройства памяти (ЗУ), предназначенного для увеличения объема основной оперативной или внешней памяти на жестком магнитном диске (ЖМД), входящих в основной комплект поставки компьютера;
— иерархическая память (hierarchical storage) — вид памяти, имеющей иерархическую структуру, на верхнем уровне которой используется сверхоперативное запоминающее устройство, а на нижнем уровне — архивное ЗУ сверхбольшой емкости;
— коллективная (массовая) память, память коллективного доступа (shared memory):
— вспомогательная память (auxiliary storage) — часть памяти компьютера, охватывающая внешнюю и наращенную оперативную память;
— вторичная память (secondary storage) — вид памяти, который в отличие от основной памяти имеет большее время доступа, основывается на блочном обмене, характеризуется большим объемом и служит для разгрузки основной памяти;
— гибкая память (elastic storage) — вид памяти, позволяющей хранить переменное число данных, пересылать (выдавать) их в той же последовательности, в которой принимает, и варьировать скорость вывода;
— дополнительная память (add-in memory) — вид устройства памяти (ЗУ), предназначенного для увеличения объема основной оперативной или внешней памяти на жестком магнитном диске (ЖМД), входящих в основной комплект поставки компьютера;
— иерархическая память (hierarchical storage) — вид памяти, имеющей иерархическую структуру, на верхнем уровне которой используется сверхоперативное запоминающее устройство, а на нижнем уровне — архивное ЗУ сверхбольшой емкости;
— коллективная (массовая) память, память коллективного доступа (shared memory):
1) память, доступная множеству пользователей, которые могут обращаться к ней одновременно или последовательно;
2) память, связанная одновременно с несколькими процессорами для обеспечения их взаимодействия при совместно решаемых ими задачах и использовании общих для них программных средств;
2) память, связанная одновременно с несколькими процессорами для обеспечения их взаимодействия при совместно решаемых ими задачах и использовании общих для них программных средств;
— корректирующая память (patch memory) — часть памяти компьютера, предназначенная для хранения адресов неисправных ячеек основной памяти;
— локальная память (local memory) — внутренняя память отдельного устройства компьютера (процессора, канала и т.п.), предназначенная для хранения управляющих этим устройством команд, буферируемых данных, а также сведений о состоянии устройства;
— магазинная (стековая) память (pushdown storage) — вид памяти (ЗУ), являющийся аппаратной реализацией магазинного списка — стека, запись и считывание в котором осуществляются через одну и ту же ячейку — вершину стека;
— матричная память (matrix storage) — вид памяти, элементы (ячейки) которой имеют такое расположение, что доступ к ним осуществляется по двум или более координатам;
— многоблочная память (multibunk memory) — вид оперативной памяти, организованной из нескольких независимых блоков, допускающих одновременное обращение к ним, что повышает ее пропускную способность;
— многовходовая память (multiport storage (memory)) — устройство памяти (ЗУ), допускающее независимое обращение с нескольких направлений (входов), причем обслуживание запросов производится в порядке их приоритета;
— многоуровневая память (multilevel memory) — организация памяти, состоящая из нескольких уровней запоминающих устройств с различными характеристиками и рассматриваемая со стороны пользователей как единое целое. Для многоуровневой памяти характерна страничная организация, обеспечивающая ‛прозрачность‛ обмена данными между ЗУ разных уровней;
— непосредственно управляемая (оперативно доступная) память (on-line storage) — память, непосредственно доступная в данный момент времени центральному процессору;
— объектноориентированная память (object storage) — память, система управления которой ориентирована на хранение объектов. При этом каждый объект характеризуется типом и размером записи;
— оверлейная память (overlayable storage) — вид памяти с перекрытием вызываемых в разное время программных модулей;
— одноуровневая память (one-level storage):
— локальная память (local memory) — внутренняя память отдельного устройства компьютера (процессора, канала и т.п.), предназначенная для хранения управляющих этим устройством команд, буферируемых данных, а также сведений о состоянии устройства;
— магазинная (стековая) память (pushdown storage) — вид памяти (ЗУ), являющийся аппаратной реализацией магазинного списка — стека, запись и считывание в котором осуществляются через одну и ту же ячейку — вершину стека;
— матричная память (matrix storage) — вид памяти, элементы (ячейки) которой имеют такое расположение, что доступ к ним осуществляется по двум или более координатам;
— многоблочная память (multibunk memory) — вид оперативной памяти, организованной из нескольких независимых блоков, допускающих одновременное обращение к ним, что повышает ее пропускную способность;
— многовходовая память (multiport storage (memory)) — устройство памяти (ЗУ), допускающее независимое обращение с нескольких направлений (входов), причем обслуживание запросов производится в порядке их приоритета;
— многоуровневая память (multilevel memory) — организация памяти, состоящая из нескольких уровней запоминающих устройств с различными характеристиками и рассматриваемая со стороны пользователей как единое целое. Для многоуровневой памяти характерна страничная организация, обеспечивающая ‛прозрачность‛ обмена данными между ЗУ разных уровней;
— непосредственно управляемая (оперативно доступная) память (on-line storage) — память, непосредственно доступная в данный момент времени центральному процессору;
— объектноориентированная память (object storage) — память, система управления которой ориентирована на хранение объектов. При этом каждый объект характеризуется типом и размером записи;
— оверлейная память (overlayable storage) — вид памяти с перекрытием вызываемых в разное время программных модулей;
— одноуровневая память (one-level storage):
1) вид памяти с единой адресацией для запоминающих устройств различных типов в одного компьютера,
2) см. выше Виртуальная память;
2) см. выше Виртуальная память;
— память параллельного действия (parallel storage) — вид памяти, в которой все области поиска могут быть доступны одновременно;
— перезагружаемая управляющая память (reloadable control storage) — вид памяти, предназначенный для хранения микропрограмм управления и допускающий многократную смену содержимого — автоматически или под управлением пользователя компьютера;
— перемещаемая память (data-carrier storage) — вид архивной памяти, в которой данные хранятся на перемещаемом носителе. Непосредственный доступ к ним от компьютера отсутствует;
— память последовательного действия (sequential storage) — вид памяти, в которой данные записываются и выбираются последовательно — разряд за разрядом;
— память процессора, процессорная память (processor storage) — память, являющаяся частью процессора и предназначенная для хранения данных, непосредственно участвующих в выполнении операций, реализуемых арифметико-логическим устройством и устройством управления;
— память (ЗУ) со встроенной логикой, функциональная память (logic-in-memory) — вид памяти (ЗУ), содержащий встроенные средства логической обработки (преобразования) данных, например их масштабирования, преобразования кодов, наложения полей и др.;
— рабочая (промежуточная) память (working (intermediate) storage):
— перезагружаемая управляющая память (reloadable control storage) — вид памяти, предназначенный для хранения микропрограмм управления и допускающий многократную смену содержимого — автоматически или под управлением пользователя компьютера;
— перемещаемая память (data-carrier storage) — вид архивной памяти, в которой данные хранятся на перемещаемом носителе. Непосредственный доступ к ним от компьютера отсутствует;
— память последовательного действия (sequential storage) — вид памяти, в которой данные записываются и выбираются последовательно — разряд за разрядом;
— память процессора, процессорная память (processor storage) — память, являющаяся частью процессора и предназначенная для хранения данных, непосредственно участвующих в выполнении операций, реализуемых арифметико-логическим устройством и устройством управления;
— память (ЗУ) со встроенной логикой, функциональная память (logic-in-memory) — вид памяти (ЗУ), содержащий встроенные средства логической обработки (преобразования) данных, например их масштабирования, преобразования кодов, наложения полей и др.;
— рабочая (промежуточная) память (working (intermediate) storage):
1) часть памяти компьютера, предназначенная для размещения временных наборов данных,
2) память для временного хранения данных (см. также Буферная память);
2) память для временного хранения данных (см. также Буферная память);
— реальная память (real storage) — вся физическая память компьютера, включая основную и внешнюю память, доступная для центрального процессора и предназначенная для размещения программ и данных;
— регистровая память (register storage) — вид памяти, состоящей из регистров общего назначения и регистров с плавающей запятой;
— свободная (доступная) память (free space) — область или пространство памяти (ЗУ), которая в данный момент может быть выделена для загрузки программы или записи данных;
— семантическая память, семантическое ЗУ (semantic storage) — вид памяти, в которой данные размещаются и списываются в соответствии с некоторой структурой понятийных признаков;
— совместно используемая (разделяемая) память (ЗУ) (shareable storage) — вид памяти, допускающий одновременное использование его несколькими процессорами;
— память с защитой, защищенное ЗУ (protected storage) — вид памяти, имеющий встроенные средства защиты от несанкционированного доступа к любой из его ячеек;
— память (ЗУ) с последовательным доступом (sequential access storage) — вид памяти, в которой последовательность обращенных к ним входных сообщений и выборок данных соответствует последовательности, в которой организованы их записи. Основной метод поиска данных в этом виде памяти — последовательный перебор записей;
— память с прямым доступом, ЗУ прямого доступа, ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ) — RAM (Random Access Memory);
— память с пословной организацией (word-organized memory) — вид памяти, в которой адресация, запись и выборка данных производится не побайтно, а пословно;
— статическая память;
— страничная память (page memory) — память, разбитая на одинаковые области — страницы. Обмен с такой памятью осуществляется страницами;
— управляющая память (control storage) — память, содержащая управляющие программы или микропрограммы. Обычно реализуется в виде постоянного запоминающего устройства.
— регистровая память (register storage) — вид памяти, состоящей из регистров общего назначения и регистров с плавающей запятой;
— свободная (доступная) память (free space) — область или пространство памяти (ЗУ), которая в данный момент может быть выделена для загрузки программы или записи данных;
— семантическая память, семантическое ЗУ (semantic storage) — вид памяти, в которой данные размещаются и списываются в соответствии с некоторой структурой понятийных признаков;
— совместно используемая (разделяемая) память (ЗУ) (shareable storage) — вид памяти, допускающий одновременное использование его несколькими процессорами;
— память с защитой, защищенное ЗУ (protected storage) — вид памяти, имеющий встроенные средства защиты от несанкционированного доступа к любой из его ячеек;
— память (ЗУ) с последовательным доступом (sequential access storage) — вид памяти, в которой последовательность обращенных к ним входных сообщений и выборок данных соответствует последовательности, в которой организованы их записи. Основной метод поиска данных в этом виде памяти — последовательный перебор записей;
— память с прямым доступом, ЗУ прямого доступа, ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ) — RAM (Random Access Memory);
— память с пословной организацией (word-organized memory) — вид памяти, в которой адресация, запись и выборка данных производится не побайтно, а пословно;
— статическая память;
— страничная память (page memory) — память, разбитая на одинаковые области — страницы. Обмен с такой памятью осуществляется страницами;
— управляющая память (control storage) — память, содержащая управляющие программы или микропрограммы. Обычно реализуется в виде постоянного запоминающего устройства.
Контроль четности и корректирующие коды
Контроль четности означает, что при записи байта информации в запоминающее устройство определяется дополнительный контрольный бит, в который записывается 0, если это число — четное, и 1 — если оно нечетное. Таким образом, при чтении ранее записанного байта, вновь получив контрольный бит и сравнив его с уже имеющимся, можно говорить о достоверности получаемой информации. Такая операция особенно актуальна для запоминающих устройств невысокой надежности, в частности, для дисковых накопителей. Современные технологические успехи в области полупроводниковой памяти позволяют в ряде случаев обходиться без контроля четности. Некоторые материнские платы хотя и допускают использование модулей памяти с контролем четности, но саму проверку могут не поддерживать.
В ответственных приложениях, требующих повышенной надежности хранения информации, применяются более серьезные, чем контроль четности, методы обеспечения целостности данных. К ним относятся корректирующие коды (ECC — Error Correction Code), позволяющие не только обнаруживать ошибки, но и восстанавливать искаженную информацию за счет ее избыточности. Так, существуют модули памяти со схемами ECC, в которых для хранения контрольной информации используются не один, а два бита, в которых хранится остаток от деления числа на 4. Благодаря этим данным схема ECC умеет обнаруживать и исправлять одиночные искаженные биты, а также обнаруживать (но не исправлять) двойные ошибки. Модули памяти с ECC обычно стоят заметно дороже и применяются в основном в серверах.
В общем случае ECC применяются во всех современных дисковых и ленточных накопителях. За счет информационной избыточности закодированных данных удается восстанавливать поврежденные блоки информации длиной в сотни байт. Наиболее широко применяются помехоустойчивые коды Рида-Соломона (Reed-Solomon). Например, благодаря использованию этих кодов в стримере на базе бытового видеомагнитофона «АрВид» удается годами хранить информацию на обычных видеокассетах VHS без потери данных, несмотря на очень низкую надежность физического носителя информации. Коды Рида-Соломона применяются и в жестких дисках.