SDRAM (Synchronous DRAM) — синхронная динамическая память с прямым доступом, одна из разновидностей DRAM.
Синхронность данного вида памяти подразумевает, что периоды чтения/записи памяти согласовываются с работой процессора единым тактовым генератором. Продвигалась как вариант замены EDO DRAM и других асинхронных однопортовых видов памяти, в частности, в качестве альтернативы более дорогой системы памяти VRAM. Особенность: после того, как произведено первое чтение из памяти или первая запись в память, последующие операции чтения и записи осуществляются с нулевыми задержками. Этим достигается максимально возможная скорость чтения и записи данных. Существует три модификации SDRAM первого поколения: JEDEC SDRAM (PC66, рабочая частота 66 МГц), PC100 SDRAM (100 МГц), PC133 SDRAM (133 МГц). Максимальная пропускная способность этих модулей памяти — от 800 до 1064 Мбайт/с. Однако наибольшая пропускная способность реализуется только в случае последовательной передачи данных с каждым тактом. Поэтому другими важными характеристиками памяти являются: RAS to CAS Delay (величина задержки между сигналами стробирующих импульсов строки и столбца — RAS и CAS), CAS Latency (задержка по времени в тактах с момента подачи сигнала CAS до выдачи первого элемента данных на шину) и RAS Precharge (время деактивации в тактах, определяющих завершение выдачи последнего элемента данных в цикле). SDRAM, как правило, изготовляется в 168-контактном DIMM-исполнении и устанавливается на материнские платы, поддерживающие данный вид памяти.
В начале 2000-х получили широкое распространение новые модификации синхронной динамической памяти с удвоенной скоростью передачи данных, пришедшие на смену обычной SDRAM (которая стала называться SDR (Single Data Rate) — «Память с единичной скоростью передачи данных»), — DDR SDRAM и DDR2 SDRAM.
SDRAM, DDR SDRAM и DDR2 SDRAM несовместимы между собой, так как DIMM-разъемы для них имеют различное напряжение и различное количество контактов (168, 184 и 240, соответственно).