EDO DRAM

EDO DRAM (Extended Data Output (Dynamic) Random Access Memory — «ОЗУ с увеличенным временем доступности данных») — микросхема асинхронной динамической памяти (DRAM), которая отличается от обычных динамических ОЗУ повышенной возможностью работы в так называемом страничном режиме (связанном с сокращением числа тактов при выборке смежных слов текста). В результате этого производительность машины при чтении данных возрастает (по сравнению с более ранними FPM DRAM). Иногда к таким микросхемам применяют также термин «HPM (Hyper Page Mode) — гиперстраничный режим». Конструктивно исполняется в виде DIMM-модулей ‛без контроля четности‛ (EDO DIMM) и EDO DIMM ECC — «с коррекцией ошибок» (см. в статье память). EDO DRAM использовалась в качестве основной памяти ПК на базе микропроцессоров Pentium и Pentium Pro, а также в видеокартах при частоте шины 40-50 МГц. Максимальная пропускная способность порядка 105 Мбайт/с.