RDRAM (Rambus DRAM) — разработанная Intel и компанией Rambus динамическая оперативная память, которая использует специальный канал передачи данных (RAMbus Channel), представляющий собой дополнительную шину.
Память типа Rambus основана на шине из 30 проводников, имеющих строго одинаковую длину для обеспечения одинаковой задержки. Из них 16 или 18 используются для передачи данных (две группы по восемь), а остальные — для управления и синхронизации. Линия передачи работает на частоте 400 МГц в дифференциальном режиме («0» соответствует 1, 0 В, «1» — 1, 4 В). По этому каналу данные могут передаваться большими потоками, наибольшая скорость передачи достигает 800 Мбайт/с.
RDRAM обеспечивает конвейерный доступ к памяти с одновременной передачей адреса и данных. При этом допускается одновременная обработка до 4 запросов. Задержка первого пакета данных составляет 50 нс, а остальные следуют без задержки до смены режима чтение/запись. Внутреннее ядро RDRAM имеет 128-разрядную шину данных, работающую на частоте 1/8 системной (100 МГц). Логика RDRAM позволяет иметь различное количество банков памяти, причем увеличение числа банков уменьшает зависимость между запросами и позволяет их распараллеливать. С помощью специального протокола производится разделение данных, адресной и управляющей информации.
Для управления потребляемой мощностью в RDRAM предусмотрено четыре состояния: Active, Standby, Nap и PowerDown. Существуют три основных вида памяти Rambus: базовый, параллельный и прямой (DRDRAM), первые два используются преимущественно в игровых приставках.
Позиционировалась как наиболее производительная альтернатива SDRAM первого поколения для систем на базе Intel Pentium 4, но в силу своей высокой стоимости не получила широкого распространения и была вытеснена с рынка модулями DDR SDRAM и DDR2 SDRAM. Модули оперативной памяти RDRAM подключаются к материнской плате посредством специальных разъемов RIMM и могут работать в двухканальном режиме. RDRAM используется также в качестве видеопамяти.