DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM; «Дэ-Дэ-Эр») — синхронная динамическая оперативная память с удвоенной скоростью передачи данных. Спецификация предложена фирмой Samsung в 1996. Разработана совместно компаниями Mistubishi, Fujitsu, Toshiba, Hitachi, Texas Instrument и Samsung. В отличие от более ранних версий SDRAM (с единичной скоростью передачи данных, SDR (Single Data Rate)) DDR SDRAM передает данные по обоим (переднему и заднему) фронтам тактового сигнала, что позволяет вдвое увеличить пропускную способность памяти без существенного изменения архитектуры и технологии производства SDRAM (так, при тактовой частоте 133 МГц DDR SDRAM передает данные в два раза быстрее, чем обычная SDRAM PC133). DDR SDRAM нередко именуют SDRAM II. DDR SDRAM изготавливается на 184 контактах (в модулях SDR SDRAM 168 контактов) и 4-6-слойных печатных платах; модули памяти DDR SDRAM конструктивно несовместимы с модулями SDR SDRAM (например, PC133) и требуют особых DIMM-разъемов.
Модули SDRAM называются в соответствии с частотой, на которой работает память, например, PC100 или PC133. В отличии от них DDR именуется в соответствии со скоростью передачи данных, которой она соответствует, например, PC1600 и PC2100. Так DDR SDRAM DDR200 и PC1600 это одно и то же, скорость передачи данных составляет 1600MБ/с (64бит (ширина шины данных) Х 100МГц (частота системной шины) Х 2 (удвоение скорости) Х 8 = 1600MБ/с), аналогично DDR266 и PC2100 (64бит Х 133МГц Х 2 Х 8 = 2133MБ/с).
Следует отметить, что не существует никакой принципиальной разницы в архитектуре DDR SDRAM с различными частотами, например между PC1600 (работает на частоте 100МГц) и PC2100 (работает на частоте 133МГц). Просто стандарт говорит о том, на какой гарантированной частоте работает данный модуль. Следовательно, любой модуль можно запускать как на более низкой тактовой частоте (такое действие носит название андерклокинг — underclocking), так и на более высокой частоте (оверклокинг — overclocking).
Большинство выпускаемых сегодня материнских плат (это определяется чипсетом) позволяют использовать модули DDR SDRAM в двухканальном, а некоторые чипсеты и в четырехканальном режиме. Эта технология позволяет увеличить в 2 (или в 4, соответственно) раза пропускную способность шины памяти. Для работы памяти в двухканальном режиме требуется 2 модуля памяти (для 4-канального режима — 4). Модули должны работать на одинаковой частоте, иметь одинаковый объем памяти и равные тайминги (лучше — одного производителя и из одной партии). Информация записывается на оба модуля синхронно, таким образом скорость обращения процессора к памяти увеливается вдвое (при наличие четырехканального режима — вчетверо).
Наиболее популярны следующие модули:
- PC1600 (DDR200; 100 МГц; максимальная пропусканая способность в одноканальном режиме 1600 Мбайт/сек; в двухканальном режиме — 3200 Мбайт/сек);
- PC2100 (DDR266; 133 МГц; 2133 Мбайт/сек и 4267 Мбайт/сек, соответственно);
- PC2400 (DDR300; 150 МГц; 2400 Мбайт/сек и 4800 Мбайт/сек);
- PC2700 (DDR333; 166 МГц; 2667 Мбайт/сек и 5333 Мбайт/сек);
- PC3200 (DDR400; 200 МГц; 3200 Мбайт/сек и 6400 Мбайт/сек);
- PC3500 (DDR433; 217 МГц; 3467 Мбайт/сек и 6933 Мбайт/сек);
- PC3700 (DDR466; 233 МГц; 3733 Мбайт/сек и 7467 Мбайт/сек);
- PC4000 (DDR500; 250 МГц; 4000 Мбайт/сек и 8000 Мбайт/сек);
- PC4300 (DDR533; 267 МГц; 4267 Мбайт/сек и 8533 Мбайт/сек).
Некоторые производители выпускают модули и с большей частотой (например, DDR700 PC5600, работающая на частоте 350 МГц); однако они не получили распространения из-за высокой цены и низкого прироста производительности.
Спецификация задержки памяти CL (CAS Latency) DDR SDRAM также различна. Согласно спецификации JESD79 организации JEDEC, DDR SDRAM имеет два вида задержки CAS: 2нс и 2.5нс. Спецификация PC-2100 с CL=2 называется DDR 266A, а спецификация PC-2100 с CL=2.5 называется DDR 266B. Модули PC1600 DDR SDRAM не имеют другого наименования.
DDR SDRAM является наиболее распространенным видом оперативной памяти в системах, построенных на базе микропроцессора Intel Pentium 4 (и соответствующих процессоров корпорации AMD).
Увеличение тактовых частот системной шины привело к разработке нового стандарта памяти DDR2 SDRAM. Этот стандарт предусматривает увеличение скорости передачи относительно DDR в 4 раза. Модули DDR2 используют другое напряжение, имеют 240 контактов и несовместимы с DDR (DDR2 вставляется в специальный разъем на материнской плате, поддерживающей данный тип памяти).