Изоэлектронные Аналоги
Изоэлектро́нные Ана́логи, вещества, имеющие одинаковую кристаллическую структуру и одинаковый суммарный заряд ядра двух атомов-партнеров. Изоэлектронными аналогами являются Ge, GaAs, ZnSe, или Sn,...

Инверсионный слой
Инверсио́нный слой, слой у границы полупроводника, отличающийся от внутренних областей противоположным знаком основных носителей заряда. Может образовываться как у свободной границы, так и у границы...

Индия Арсенид
И́ндия Арсени́д, InAs, монокристаллический полупроводниковый материал, относящийся к классу соединений AIIIBV.

Инжекция носителей заряда
Инже́кция носи́телей заря́да, увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике или диэлектрике в результате переноса носителей током из областей с более высокой концентрацией (обычно через...

Институт физики имени Л.В. Киренского
Институ́т фи́зики имени Л.В. Киренского (ИФ) РАН был организован 12 октября 1956 года в Красноярске. 18 мая 1957 года институт вошел в состав Сибирского отделения Академии наук. На базе института...

Ионизация полем
Иониза́ция по́лем (полевая ионизация, автоионизация), процесс ионизации атомов и молекул в сильном электрическом поле. Используется в полевом ионном микроскопе для получения увеличенного изображения...

Ионная бомбардировка
Ио́нная бомбардиро́вка поверхности твердых тел, взаимодействие поверхности твердого тела с направленным потоком ионов. Приводит к возникновению различных процессов, связанных с объемным и...

Ионная имплантация
Ио́нная импланта́ция (ионное внедрение, ионное легирование) — способ легирования полупроводников; введение примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности направленным пучком...

Ионное легирование
Ио́нное леги́рование — смотри Ионная имплантация.

Ионно-ионная эмиссия
Ио́нно-ио́нная эми́ссия (вторичная ионная эмиссия), испускание ионов конденсированной средой при бомбардировке ее ионами. Используется для анализа состава и структуры поверхности, а также для анализа...

Ионно-Фотонная эмиссия
Ио́нно-Фото́нная эмиссия, излучение фотонов при ионной бомбардировке поверхности твердого тела. Происходит при столкновении ионов с поверхностью в результате возбуждения атомов твердого тела и...

Ионные кристаллы
Ио́нные криста́ллы, кристаллы с ионной (электростатической) связью между атомами. В узлах кристаллической решетки ионных кристаллов поочередно располагаются ионы противоположного знака, в них нельзя...

Ионные радиусы
Ио́нные ра́диусы — характеристики расстояний между ядрами катионов и анионов в ионных кристаллах. Экспериментальные методы (рентгеновский структурный анализ, микроволновая спектроскопия) примерно...

Ираст-уровень
Ира́ст-у́ровень, уровень энергии, обладающий наименьшей энергией возбуждения среди всех уровней с заданной величиной спина. Совокупность ираст-уровней со всеми спинами называют ираст-полосой....

Каналирование частиц
Канали́рование части́ц, движение частиц, попавших в кристалл, вдоль «каналов», образованных параллельными рядами атомов.

Квантовый кристалл
Ква́нтовый криста́лл — кристалл, в котором амплитуда нулевых колебаний кристаллической решетки сравнима или больше периода решетки. Квантовым кристаллом является твердый гелий, который при...

Ковалентные кристаллы
Ковале́нтные криста́ллы (ковалентные атомные кристаллы), кристаллы, атомы в которых связаны ковалентной связью. В узлах кристаллической решетки типичных ковалентных атомных кристаллов располагаются...

Колебания кристаллической решетки
Колеба́ния кристалли́ческой решетки, колебания атомов или ионов, составляющих кристалл, около положений равновесия (узлов кристаллической решетки). Амплитуда тепловых колебаний кристаллической...

Координационный полиэдр
Координацио́нный полиэ́др (многогранник) атома А, выпуклый многогранник, вершинами которого являются атомы Х, определяющие значение координационного числа атома А.

Кристаллиты
Кристалли́ты, мелкие монокристаллы, не имеющие ясно выраженной огранки. Из кристаллитов, т. е. агрегатов хаотически ориентированных мелких кристалликов разного размера и неправильной формы, состоит...