И́ндия Арсени́д, InAs, монокристаллический полупроводниковый материал, относящийся к классу соединений AIIIBV.
Кристаллы арсенида индия имеют решетку сфалерита (см. типы кристаллических структур). Постоянная решетки при 300К равна 6, 058А, относительная молекулярная масса 144, 63, количество атомов в см3 — 3, 96.1022. Плотность в твердом состоянии — 5, 66 г/см3, в жидком состоянии (при температуре плавления) — 5, 90 г/см3; температура плавления под давлением паров мышьяка tпл = 943 оС; равновесное давление паров мышьяка в точке плавления — 3, 32.10-2 Мпа. Твердость по минералогической шкале — 4, коэффициент линейного расширения — 5, 19.10-6К-1, диэлектрическая проницаемость (низкочастотная) — 14, 55.
Арсенид индия имеет малую ширину запрещенной зоны — 0, 36 эВ и высокую подвижность электронов. Высокая подвижность электронов позволяет получать на его основе приборы повышенной чувствительности.
Арсенид индия не растворяется в воде, хорошо поддается травлению концентрированной соляной кислотой, добавление азотной кислоты увеличивает скорость травления. При растворении арсенида индия в кислотах выделяется арсин. Окисление арсенида индия на воздухе начинается при температуре выше 450 оС. В вакууме при температурах выше 700 оС арсенид индия разлагается с выделением мышьяка.
Промышленным методом выращивания монокристаллов арсенида индия является метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (см. Методы выращивания кристаллов). Монокристаллы выращивают диаметром 2 и 3 дюйма. Плотность дислокаций в кристаллах диаметром 2 дюйма ND 1, 5.104 см-2.
Основная область применения — малолитражное производство разнообразных оптоэлектронных приборов — оптических фильтров, источников ИК-излучения, фотоприемников, фильтров, в производстве приборов с гальваномагнитными эффектами, для изготовления магниторезисторов и преобразователей Холла. Применяют также в приборах для измерения напряженности магнитного поля и других полупроводниковых приборах.