Инжекция носителей заряда

Инже́кция носи́телей заря́да, увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике или диэлектрике в результате переноса носителей током из областей с более высокой концентрацией (обычно через контакт с металлом, p — n-переход или гетеропереход) под действием внешнего электрического поля. При подаче прямого напряжения смещения на контакт с металлом, p — n-переход или гетеропереход происходит инжекция неосновных носителей. Этот механизм лежит в основе действия большого числа полупроводниковых приборов.