Ионная имплантация

Ио́нная импланта́ция (ионное внедрение, ионное легирование) — способ легирования полупроводников; введение примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности направленным пучком ускоренных ионов. Ионная имплантация применяется в микроэлектронике для создания электронно-дырочных переходов, гетеропереходов; позволяет вводить примеси при низкой температуре. При интенсивной бомбардировке на ионное внедрение влияет катодное распыление мишени, а также диффузия внедренных ионов и их выделение с поверхности. Существует максимально возможная концентрация внедренных ионов, которая зависит от вида иона и мишени, а также от температуры мишени. Ионное внедрение используется при введении примесей в полупроводниковые монокристаллы для создания необходимой электропроводности полупроводника. Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся дефектов в кристалле, а также для того, чтобы внедренные ионы заняли определенные места в узлах кристаллической решетки. Ионное внедрение позволяет вводить в разные полупроводниковые материалы точно дозированные количества почти любых химических элементов. При этом можно управлять распределением внедренных ионов по глубине путем изменения энергии ионов, интенсивности и направления ионного пучка относительно кристаллографических осей. Ионное внедрение позволяет создать в полупроводниковом кристалле электронно-дырочный переход на малой глубине, что увеличивает предельную частоту транзисторов.