Фосфид индия

Фосфид индия не растворяется в воде, устойчив к воздействию уксусной, разбавленной серной и азотной кислот, едкого натра. Наилучшим растворителем фосфида индия является соляная кислота., удельная скорость растворения в которой возрастает с увеличением ее концентрации. Растворяется в смесях кислот (соляной и азотной, азотной плавиковой и уксусной). При нагреве до 300 ^°С фосфид индия не окисляется. При более высоких температурах он разлагается с выделением фосфора. Фосфид индия в технологическом отношении является более сложным материалом, чем арсенид галлия, так как равновесное давление паров фосфора над расплавом стехиометрического состава высокое.

Для выращивания монокристаллов фосфида индия применяются те же методы, что и для арсенида галлия — метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC) и метод вертикальной направленной кристаллизации (VGF). Особенность технологий выращивания InP и GaAs заключается в том, что оба метода реализуются при высоком давлении инертного газа или фосфора в камере. В промыщленности производят кристаллы диаметром 100 и 150 мм.

Для получения кристаллов с регулируемыми электрофизическими свойствами (тип проводимости, удельное сопротивление, концентрация и подвижность носителей заряда) используют процессы легирования фосфида индия электрически активными примесями. Основными легирующими примесями при получении монокристаллов n-типа являются S, Se, Te, Si, Ge, Sn, а при получении монокристаллов p-типа — Zn и Cd. Легирование донорными примесями до высоких концентраций приводит к снижению плотности дислокаций в них, но одновременно сопровождается появлением микродефектов. По данным электронно-микроскопических исследований эти микродефекты, как и в арсениде галлия, представляют собой дефекты упаковки, мелкие призматические дислокационные петли, дисперсные выделения второй фазы. Как и в случае арсенида галлия основную роль в их образовании играют собственные точечные дефекты. При высоких уровнях легирования на образование микродефектов оказывает влияние распад пересыщенного твердого раствора легирующей примеси.

Основное применение для производства интегральных схем находит полуизолирующий (с высоким удельным сопротивлением) фосфид индия, легированный железом ПИ-InP(Fe). Методом VGF можно получить ПИ-кристаллы диаметром 100 мм с плотностью дислокаций N_D .10⁵ см^-2 и диаметром 150 мм с N_D .10⁵ см^-2. Основными технологическими проблемами при выращивании кристаллов фосфида индия является склонность кристаллов к двойникованию, формирование дислокационных кластеров и сегрегационные явления, обусловленные высоким содержанием примеси Fe в полуизолирующих кристаллах.

На основе фосфида индия создаются обладающие высокими характеристиками полевые транзисторы и другие СВЧ приборы. Монокристаллические пластины InP используются в качестве подложек при выращивании гетероструктур четверного твердого раствора Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y, на основе которых создаются эффективные источники излучения (инжекционные лазеры, светодиоды) и быстродействующие фотоприемники для систем волоконно-оптических линий связи на длины волн 1, 3 и 1, 55 мкм (спектральный диапазон высокой прозрачности стекловолокна на основе кварцевого стекла). Фосфид индия перспективен для разработки сверхбыстрых интегральных схем (СБИС), может заменить арсенид галлия в производстве интегральных схем. Фосфид индия является вероятным материалом для производства интегральнывх схем со скоростью обработки данных 40 Гбит/с, а также для создания монолитно интегрированных оптоэлектронных интегральных схем.