Транзи́стор (от англ. transfеr — переносить и резистор) — полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трех областей с различной — электронной (n) и дырочной (p) — проводимостью. Изобретен в 1948 американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином. Используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь) и цифровых устройствах.
По физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные (чаще называют просто транзисторами) и униполярные (чаще называют полевыми транзисторами). В первых, содержащих два или более электронно-дырочных перехода, носителями заряда служат как электроны, так и дырки, во вторых — либо электроны, либо дырки. Термин «транзистор» нередко используют для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах.
Транзисторы активно используются в цифровой технике (устройства логики, памяти, процессоры, цифровая связь). Цифровая техника основана на МОП (металл-окисел-полупроводник) транзисторах (МОПТ). Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) транзисторы (MOSFET, metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и являются основой для построения устройств памяти, процессора. Размеры МОПТ составляют от 130 до 60 нанометров. На одном чипе (обычно размером 1-2 квадратных сантиметров) размещаются десятки миллионов МОПТ. Уменьшение размеров МОПТ приводит к повышению быстродействия процессоров (тактовой частоты).
- Галкин В. И., Прохоренко В. А. Полупроводниковые приборы. Минск, 1979.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. М., 1984.