Магни́тная анизотропи́я, зависимость магнитных свойств тел (например, намагниченности) от выделенного в образце (магнетике) направления. Причина магнитной анизотропии заключается в анизотропном характере магнитного взаимодействия между атомными носителями магнитного момента в веществах. В изотропных газах, жидкостях, поликристаллических твердых телах магнитная анизотропия в макромасштабе не проявляется. В монокристаллах магнитная анизотропия приводит к большим наблюдаемым эффектам, например к различию величины магнитной восприимчивости парамагнетиков вдоль различных направлений в кристалле.
В монокристаллах ферромагнетиков существуют направления легкого и трудного намагничивания. Число таких направлений определяется симметрией кристаллической решетки. В отсутствии внешнего поля магнитные моменты доменов самопроизвольно ориентируются вдоль одной из осей легкого намагничивания. Но анизотропия магнитных свойств не связана с обменным взаимодействием. Обменная энергия не изменяется при одновременном повороте спиновых моментов на любой угол относительно кристаллографических осей. Например, элементарная ячейка железа представляет собой объемно-центрированный куб. Направление легкого намагничивания совпадает с ребром куба [100], следовательно, в монокристалле железа можно выделить шесть эквивалентных направлений легкого намагничивания. Направление пространственно диагонали куба [111] соответствует направлению трудного намагничивания. У никеля, имеющего структуру гранецентрированного куба, диагональ [111], наоборот, является направлением легкого намагничивания, симметрия решетки определяет восемь таких эквивалентных направлений. В то же время кобальт, кристаллизующийся в гексагональной структуре, имеет лишь два направления легкого намагничивания, совпадающих с осью призм, т.е. магнитные моменты доменов в отсутствии внешнего поля могут быть ориентированы лишь в двух антипараллельных направлениях.
Зависимость намагниченности от ее направления относительно кристаллографических осей в кристалле называется естественной кристаллографической магнитной анизотропией. Кроме того, магнитная анизотропия может возникнуть вследствие магнитоупругих деформаций, при наличии внешних и внутренних напряжений (наведенная магнитная анизотропия), а также из-за анизотропии формы образца.
Для намагничивания монокристаллического образа до насыщения вдоль одной из осей легкого намагничивания нужно затратить значительно меньшую энергию, чем для такого же намагничивания вдоль оси трудного намагничивания. Энергию, затрачиваемую внешним магнитным полем на поворот вектора намагниченности ферромагнитного кристалла из направления легкого намагничивания в направлении трудного намагничивания, называют энергией естественной магнитной кристаллографической анизотропии.
Мерой магнитной анизотропии для данного направления в кристалле является работа намагничивания внешнего магнитного поля, необходимая для поворота вектора намагниченности J из положения вдоль оси легкого намагничивания в новое положение — вдоль внешнего поля. Эта работа при постоянной температуре определяет свободную энергию магнитной анизотропии для данного направления и зависит от направления симметрии кристалла.
Магнитная анизотропия влияет на процессы намагничивания, на магнитную доменную структуру и другие свойства магнетиков. Вследствие магнитострикции в магнетиках наряду с естественной кристаллографической магнитной анизотропии наблюдается также магнитоупругая анизотропия, которая возникает при наложении на образец внешних односторонних напряжений. В поликристаллах, при наличии в них текстуры магнитной или текстуры кристаллографической, также проявляется магнитная анизотропия