И́ндия Антимони́д, InSb, монокристаллический полупроводниковый материал, относящийся к классу соединений AIIIBV. Кристаллизуется в решетке типа сфалерита (см. типы кристаллических структур).
Антимонид индия не растворяется в воде, хорошо растворяется в кислотах. При растворении антимонида индия в кислотах выделяется токсичный стибин SbH3. Окисление арсенида индия на воздухе начинается при температуре выше 500 оС. При значительных перегревах разлагается с выделением паров сурьмы.
Постоянная решетки при 300К равна 6, 480А. Плотность в твердом состоянии = 5, 78 г/см3, в жидком состоянии (при температуре плавления) — 6, 48 г/см3; температура плавления tпл = 525 оС; равновесное давление паров в точке плавления - 10-4 Па. Коэффициент термического расширения — 5, 04.10-6К-1, твердость по минералогической шкале — 3, 8, диэлектрическая проницаемость (низкочастотная) — 17, 72.
Антимонид индия имеет малую ширину запрещенной зоны — 0, 18 эВ и очень высокую подвижность электронов. Энергия ионизации донорных примесей (S, Se, Te) очень мала. Вследствие малой ширины запрещенной зоны электропроводность антимонида индия уже при температурах ниже комнатной становится собственной. Антимонид индия относится к вырожденным полупроводникам. Их особенность — слабая зависимость основных характеристик от температуры.
Промышленным методом выращивания монокристаллов антимонида индия является метод Чохральского (см. Методы выращивания монокристаллов). Монокристаллы InSb выращивают в направлении диаметром 2 и 3 дюйма. Плотность дислокаций в кристаллах диаметром 2 дюйма ND 1, 0.102 см-2.
Антимонид индия применяется для изготовления туннельных диодов: по сравнению с германиевыми диоды из InSb обладают лучшими частотными свойствам при низких температурах. Антимонид индия используют для изготовления фотоэлементов высокой чувствительности, датчиков Холла, оптических фильтров и термоэлектрических генераторов и холодильников.