Жуков Алексей Евгеньевич (р. 9 февраля 1968, Ленинград) — российский физик, специалист по технологиям наногетероструктур, молекулярно-пучковой эпитаксии. Доктор физико-математических наук (2002). Проректор по высшему образованию в Академическом университете РАН, заведующий лаборатории нанофотоники. Профессор СПбГПУ, СПбЭТУ.
Алексей Жуков закончил с отличием факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института в 1992 году по специальности «Оптоэлектронника». Ученик Ж.И. Алферова. В 1996 году под его руководством защитил кандидатскую диссертацию «Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In, Ga, Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств». В 2002 году Жуков стал доктором физико-математических наук, защитив докторскую диссертацию «Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек».
А. Е. Жуков занимает должность проректора по высшему образованию — директора центра высшего образования, заведующего лабораторией нанофотоники в Санкт-Петербургском Академическом университете РАН.
Читает курс лекций «Полупроводниковые лазеры» в Академическом университете РАН и «Физика и технология наногетероструктур» в СПбЭТУ.
- молекулярно-пучковая эпитаксия;
- полупроводниковые материалы;
- наноструктуры (квантовые ямы, квантовые точки);
- полупроводниковые приборы (включая лазерные диоды, транзисторы с высокой подвижностью электронов).
Автор более 500 публикаций в научных изданиях и материалах конференций. Автор 1 патента РФ и 2 патентов США.
- двухкратный лауреат премии AIXTRON young scientist award (1999, 2005)
- лауреат премии «Выдающийся молодой ученый России» (1999, 2001)
- лауреат главной премии издательства the International Academic Publishing Company “Nauka/Interperiodica” за лучший цикл публикаций (2000),
- лауреат премии журнала IEEE Journal of Quantum Electronics за лучшую публикацию (2001)
- лауреат премии ФТИ им. А.Ф.Иоффе за лучшую работу (2001, 2002, 2003)
- обладатель гранта «Фонда содействия отечественной науке» (2001, 2002, 2006, 2007)
- лауреат премии Samsung Young Scientist Award (2003)
- обладатель гранта Президента РФ «молодые доктора наук» (2004, 2007).
- лауреат премии им. А.С. Попова Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области электро- и радиотехники, электроники и информационных технологий (2010)
Избранные научные труды
- А.Е.Жуков, М.В.Максимов «Современные инжекционные лазеры», СПб.: Изд-во СПб Политехнического ун-та, С-Петербург, 2009, 276 с.;
- А.Е.Жуков «Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур», СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд-во «Элмор», 2007. 304 с.
- В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками» 171 855 (2001)
- В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (31 января 2001 г.)» 171 855–857 (2001)
- Ж.И. Алферов, Д. Бимберг и др. «Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками» 165 224–225 (1995)
- В.В. Коренев, А.В. Савельев, А.Е. Жуков и др. Модель одновременной генерации через основное и возбужденное состояния в полупроводниковых лазерах на квантовых точках. Научно-технические ведомости СПбГПУ. Вып. 141. 2012.
- V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, A.Yu.Egorov, N.A.Maleev, Quantum dot lasers, Oxford University Press, 2003, Oxford Science Publications, Series on semiconductor science and technology, v. 11.
- E.Zhukov, V.M.Ustinov, and Zh.I.Alferov, Device characteristics of low-threshold quantum-dot lasers, Selected Topics in Electronics and Systems vol.16, Advances in semiconductor lasers and applications to optoelectronics (eds. M.Dutta and M.A.Stroscio, World Scientific, Singapore, 2000), pp. 263-292.
- V.M.Ustinov and A.E.Zhukov, GaAs-based long-wavelength lasers, Semicond. Sci. Technol. 15(8), R41-R54 (2000).
- А.Ф. Андреев, А.Л. Асеев и др. «Жорес Иванович Алферов (к 80-летию со дня рождения)» 180 333–334 (2010).