Полупроводниковый лазер

Полупроводнико́вый ла́зер, лазер, активная среда которого — полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм — 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0, 3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки — инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.