Акце́птор (от лат. acceptor — принимающий) в полупроводниках, дефект, который может «захватывать» электроны из валентной зоны у доноров, образуя при этом дырки, участвующие в электропроводности. Акцепторами могут быть как собственные точечные дефекты (например, вакансии в кристаллах Ge) так и примесные атомы. В случае легирования элементарных полупроводников, Ge или Si, элементами 3 группы периодической системы (B, Al, Ga) при замещении основного четырехвалентного атома трехвалентным, одна из связей остается не связанной ковалентной связью с соседними атомами, и четвертый электрон может быть легко при тепловых колебаниях решетки захвачен от соседнего атома основного вещества, где возникает дырка. Для совершения такого акта надо затратить энергию, равную энергии ионизации акцепторов — минимальную энергию, которую необходимо сообщить электрону валентной зоны, чтобы перевести его на акцепторный уровнень. В результате примесный атом превращается в отрицательно заряженный ион примеси и поэтому перемещаться по решетке не может.
В полупроводниковых кристаллах соединений АIIIВV акцепторными примесями являются примеси II группы, замещающие в узлах кристаллической решетки атомы III группы, например, Zn или Cd в позиции Ga в кристаллах GaAs.
В соответствии с зонной теорией, примесь может внести незаполненные уровни, раполагающиеся в запрещенной зоне вблизи верхнего края («потолка») валентной зоны. Благодаря тепловому возбуждению электроны из валентной зоны полупроводника забрасываются на эти свободные примесные уровни. Ввиду разобщенности атомов примеси, электроны, заброшенные на примесные уровни, не участвуют в электропроводности.