SOI – silicon-on-isulator – технология “кремний на изоляторе”, КНИ, технология SOI технология изготовления микросхем, при которой транзисторы изолируются от подложки слоем диоксида кремния. За счёт уменьшения тока утечки вдвое снижается энергопотребление процессора и повышается его быстродействие. Используется корпорацией IBM при изготовлении процессоров PowerPC (см. также BiCMOS, CHMOS, CMOS, ECL, MOS, NMOS, TTL).
SOI
Статья с рубриками не связана