Feram – Ferroelectronic [Ferroelectric] RAM – ферроэлектронное ОЗУ тип энергонезависимой полупроводниковой памяти, разработанный корпорацией NEC. Принцип работы ячейки FRAM основан на том, что внешнее электрическое поле переводит атом сегнетоэлектрического кристалла в одно из двух стабильных положений. Может хранить данные без подачи напряжения до десяти лет (см. также nonvolatile memory, RAM).
Feram
Статья с рубриками не связана