Сбис

Сбис (сверхбольшая интегральная схема; Very (Ultra) Large-Scale Integrated Circuit, VLSIC, ULSIC) — большая интегральная схема со сверхбольшой степени интеграции (до миллиона элементов в кристалле). Различают также УБИС (ультрабольшая интегральная схема, до миллиарда элементов); ГБИС (гигабольшая, более миллиарда). Развитие микроэлектроники, выраженное в увеличении степени интеграции, является физической основой развития вычислительной техники. В соответствии с законом Мура количество транзисторов в одной микросхеме должно удваиваться. Это можно показать на примере развития микропроцессоров корпорации Intel: 1965 — 30; 1975 — 65 тыс.; 1978 — на кристалле микросхемы центрального процессора 8086 содержалось 29 тыс. транзисторов; 1982 (i286) — 134 тыс.; 1985 (i386) — 275 тыс.; 1989 (i486DX) — 1, 4 млн; 1993 (Pentium) — 3, 1 млн; 1995-1996 (Pentium Pro) — 5, 5 млн. В 2000 году количество транзисторов на одном кристалле составило около 50 млн; в 2002 году (Pentium 4 на основе 0, 13 мкм технологии) — 55 млн. В августе 2004 года корпорация Intel выпустила на основе использования 65-нанометровой технологии микросхемы памяти стандарта SRAM, содержащие более 0, 5 млрд. транзисторов (емкость 70 Мбит). Соответственно возрастала и тактовая частота работы микропроцессоров.