Ковш Алексей Русланович (р. 27 июля 1973 года, Ленинград) — российский физик, специалист по технологиям наногетероструктур, молекулярно-пучковой эпитаксии. Доктор физ.-мат. наук (2011). Профессор ИТМО. Сооснователь компании «Оптоган».
Алексей Ковш окончил факультет электроники (ныне факультет электронной техники) СПбГЭТУ (ЛЭТИ) в 1996 году по специальности «Оптоэлектроника». Подготовил дипломную работу на одноименной кафедре, возглавляемой в то время Жоресом Алферовым. В последствии Алферов выступает в роли его научного руководителя и консультанта при написании кандидатской и докторских диссертаций. Через три года (1999 год) защитил кандидатскую диссертацию в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. В 2011 году стал доктором-физикоматематических наук. Тема его докторской диссертации «Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках».
С 1999 по 2003 годы Алексей Ковш — научный сторудник Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе.С 2000 по 2002 работал приглашенным специалистом НИИ промышленных технологий Тайваня. После работы в физтехе стал техническим директором (СТО) немецко-калифорнийской компании Innolume — ведущего мирового производителя полупроводниковых лазеров на основе квантовых точек, где работал вплоть до 2009 года. В 2004 году участвовал в основании компании «Оптоган». С 2009 года и по настоящее время — исполнительный вице-президент компании «Оптоган» и генеральный директор Optogan Lighting GmbH.
Эксперт междисциплинарного лектория "Контекст"
С 2000 по 2002 годы А.Р. Ковш занимался разработкой технологии молекулярно-пучковой эпитаксии для оптоэлектронных приборов, а также разработкой новых видов полупроводниковых лазеров.
Соавтор более 400 научных статей и докладов на международных конференциях, включая 15 приглашенных докладов. Имеет более 10 патентов и патентных заявок в области полупроводниковых лазеров.
Алексей Ковш входит в две сотни российских ученых с высоким индексом цитирования (индекс Хирша 37).
Профессор кафедры светодиодных технологий Санкт-Петербургского национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики. Читает учебный курс «Кванторазмерные эффекты и применение их в оптике».
- золотая медаль и премия Фонда нобелевского лауреата Жореса Алфёрова 2006 года за первую в мире реализацию температуронезависимого полупроводникового лазера в 2004 году
- в 2008 году Алексей Ковш был признан самым цитируемым российским ученым в области физики твердого тела до 40 лет по версии Scopus
- Как стартап учеников Жореса Алфёрова собирается стать «российским Филипсом» // Бизнес-журнал 25.02.2013
- Компания «Оптоган»: да будет свет
// 5-й телеканал 18.05.2012
- Алексей Ковш в программе «Ночь на Пятом»
- Доклад А.Р. Ковша на Петербургском образовательном форуме
- Комментарии А.Р. Ковша в программе «Управлять светом»
- Выступление на VIII саммите Брендов-лидеров
- Зеленый свет белым светодиодам // Эксперт 06.09.2010
- Вернись, Алёша! // РГ 18.11.2009
- Не всем до лампочки // РГ 25.11.2009
- A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, D. A. Lifshits, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, M. V. Maximov, Yu. G. Musikhin, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov and D. Bimberg / 3.5 W CW operation of quantum dot laser // Electronics Letters. – 1999. – vol. 35. – № 14. – pp. 1161–1163.
- A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, B.V. Volovik, A.F. Tsatsul’nikov, Yu.M. Musikhin, N. N. Ledentsov, P.S. Kop`ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov / Molecular beam epitaxy (MBE) growth of composite (In, Al)As/(In, Ga)As vertically coupled quantum dots and their application in injection lasers // Journal of Crystal Growth. – 1999. – vol. 201/202. – pp. 1117–1120.
- A. R. Kovsh, N. Maleev, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil’ev, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov and D. Bimberg / InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers of 1.3 ?m range with high (88%) differential efficiency // Electronics Letters. – 2002. – vol. 38. – pp. 1104–1106.
- A. R. Kovsh, J. S. Wang, L. Wei, R. S. Shiao, J. Y. Chi, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, and V. M. Ustinov / Molecular beam epitaxy growth of GaAsN layers with high luminescence efficiency // Journal of Vacuum Science and Technology B. – 2002. – vol. 20. – pp. 1158–1162.
- N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, E. S. Semenova, M. V. Maximov, Yu. M. Shemyakov, N. V. Kryzhanovskaya, V. M. Ustinov, D. Bimberg/ High performance quantum dot lasers on GaAs substrates operating in 1.5 µm range // Electronics Letters. – 2003. – vol. 39. – pp. 1126– 1128.
- A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, D. A. Livshits, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, N. A. Pihtin, I. S. Tarasov, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, J. S. Wang, L. Wei, G. Lin, J. Y. Chi, N. N. Ledentsov, D. Bimberg / High power lasers based on submonolayer InAs-GaAs quantum dots and InGaAs quantum wells // Microelectronics Journal. – 2003. – vol. 34(5–8). – pp. 491–493.
- S. Fathpour, Z. Mi, and P. Bhattacharya, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, I. L. Krestnikov, A. V. Kozhukhov, and N. N. Ledentsov / The role of Auger recombination in the temperature-dependent output characteristics (T0 = ∞) of p-doped 1.3 µm quantum dot lasers // Applied Physics Letters. – 2004. – vol. 85. – pp. 5164–5166.
- A. Gubenko, D. Livshits, I. Krestnikov, S. Mikhrin, A. Kozhukhov, A. Kovsh, N. Ledentsov, A. Zhukov, and E. Portnoi / High-power monolithic passively modelocked quantum-dot laser // Electronics Letters. – 2005. – vol. 41. – № 20. – pp. 1124–1125.
- A. Kovsh, I. Krestnikov, D. Livshits, S. Mikhrin, J. Weimert, A. Zhukov / Quantum dot laser with 75-nm-broad spectrum of emission // Optics Letters. – 2007. – vol. 32. – № 7. – pp. 793–795.
- A. Kovsh, A. Gubenko, I. Krestnikov, D. Livshits, S. Mikhrin, J. Weimert, L. West, G. Wojcik, D. Yin, C. Bornholdt, N. Grote, M.V. Maximov and A. Zhukov / Quantum dot comb-laser as efficient light source for silicon photonics // Proceedings of SPIE. – 2008. – vol. 6996. – pp. 1–12.