Диод Ганна

Дио́д Га́нна — полупроводниковый прибор, работа которого основана на эффекте Ганна эффекте. Основным элементом диода является полупроводниковый кристалл из арсенида галлия или фосфида индия толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены два омических контакта. Удельное электрическое сопротивление кристалла — от 0, 001 до 0, 01 ом/м. Эффект Ганна в возникает при достижении «критической» напряженности поля (в арсениде галлия около 300 кв/м). Для создания промышленных диодов Ганна используют арсенид галлия. Диоды Ганна применяют для усиления и генерирования электрических высокочастотных колебаний мощностью порядка нескольких квт (в импульсном режиме) и сотен мвт (в непрерывном режиме) на частотах от 0, 1 до 100 Ггц, а также для создания быстродействующих логических и функциональных элементов электронных устройств.