Ганн Джон (полн. Джон Бэттискомб Ганн, John Battiscombe Gunn) (13 мая 1928, Каир — 2 декабря 2008) — британский ученый, физик-эспериментатор, автор трудов по физике полупроводников, полупроводниковым приборам, автоматике. С 1959 года Джон Ганн работал в США в корпорации Ай-Би-Эм. В 1963 году он открыл явление генерации высокочастотных колебаний кристаллами арсенида галлия и фосфида индия в сильных электрических полях (эффект Ганна). Год спустя он установил, что эти колебания связаны с прохождением через образец доменов сильного поля, и измерил их форму, наблюдал (1966) неустойчивость доменов. Эффект Ганна используется для создания генераторов сверхвысокой частоты (диоды Ганна).