Бугаев Сергей Петрович

Род в семье служащих. По окончании радиотехнического факультета Томского политехнического института (1959) работал инженером в Новосибирске. С 1960 года — научный сотрудник, с 1963 — аспирант, с 1966 — старший научный сотрудник, затем руководитель сектора вакуумной техники и электроники НИИ ядерной физики при ТПИ. С 1973 года — заведующий лабораторией физической электроники, с 1978 — заведующий лабораторией, затем отделом электронных пучков, с 1986 — директор Института сильноточной электроники Сибирского отделения АН СССР. Одновременно в 1976-1986 гг. доцент, затем профессор, заведующий кафедрой электронных приборов Томского института автоматизированных мистем управления и радиоэлектроники (ТИАСУР), с 1996 — профессор кафедры физики плазмы Томского университета. С 13 ноября 2000 года С. П. Бугаев — председатель президиума Томского научного центра Сибирского отделения РАН.

Область научных интересов С. П. Бугаева — сильноточная эмиссионная электроника, физика формирования мощных электронных и ионных пучков. Вместе с Г. А. Месяцем он стоял у истоков создания Института сильноточной электроники АН СССР. Ученый впервые предложил использовать металло-диэлектрические катоды. В модельных экспериментах. Бугаев впервые исследовал физические явления в сильноточных диодах со взрывной эмиссией, свойства катодной и анодной плазмы и влияние этой плазмы в диоде на характеристики пучка электронов в ускорителе, впервые изучил закономерности формирования структуры таких электронных пучков. Бугаев является одним из создателей нового научного направления в физике — сильноточной эмиссионной электроники и соавтором научного открытия — явления взрывной электронной эмиссии, он провел исследования механизма скользящих вакуумных разрядов, явлений в электронных источниках на основе взрывной эмиссии, генерации СВЧ-излучения. С. П. Бугаев является автором более 200 научных работ (в том числе двух монографий).