Гантма́хер Всеволод Феликсович (р. 8 октября 1935, Москва) — российский ученый-физик, действительный член Российской академии наук (2011, член-корреспондент с 1997); автор исследований в областях свойств материалов при низких температурах, электрических свойств полупроводников в магнитном поле, высокотемпературных сверхпроводников.
Всеволод Гантмахер родился в семье ученого-математика, профессора Московского физико-технического института, лауреата Сталинской премии Феликса Рувимовича Гантмахера (1908-1964). Всеволод окончил Московский физико-технический институт (1959), еще студентом в 1957 году начал работать в Институте физических проблем (ИПФ) Академии наук СССР. В 1964 году он защитил кандидатскую диссертацию и начал работать в Институте физики твердого тела АН СССР в Черноголовке, при этом продолжая научную деятельность в ИФП. Кроме того, с 1964 года В.Ф. Гантмахер начал преподавать в Московском физико-техническом институте. В 1967 году он защитил докторскую диссертацию на тему «Размерные эффекты в металлах». С 1990 года ученый возглавлял редакцию журнала «Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики». С 2000 года он также преподавал в Московском университете.
В начале своей научной деятельности В.Ф. Гантмахер экспериментально открыл новый тип проникновения электромагнитных волн в металлы в магнитном поле в виде специфической спиральной стоячей волны. Этот эффект получил название радиочастотного размерного эффекта или эффекта Гантмахера, а сами волны — волнами Гантмахера-Каннера. Затем ученый занялся изучением электронного рассеяния. Им были измерены вероятности электрон-фононного рассеяния в олове, индии, висмуте, сурьме, вольфраме, молибдене, меди и объяснены особенности электрон-фононного рассеяния в полуметаллах. Итоги исследований были подведены в написанной совместно с И.Б. Левинсоном книге «Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках» (1984).
Следующим этапом научной деятельности В.Ф. Гантмахера стало изучение транспортных свойств при низких температурах в фотовозбужденных полупроводниках. Совместно с В.Н. Зверевым им был обнаружен в германии новый вид осцилляций электрических свойств в магнитном поле — магнитопримесные осцилляции, которые были вызваны неупругим резонансным рассеянием носителей на мелких примесях. В.Ф. Гантмахер исследовал транспортные свойства высокорезистивных металлических сплавов и высокотемпературных сверхпроводников, доказал существование разрушаемых магнитным полем локализованных пар на диэлектрической стороне перехода сверхпроводник-диэлектрик, обнаружил туннелирование локализованных куперовских пар в области очень низких температур.