Эффе́кт Га́нна — генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой. Эффект Ганна связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна. Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле арсенида галлия длиной 50-30 мкм частота колебаний составляет 0, 3-2 ГГц. Эффект Ганна используется в генераторах и усилителях сверхвысокой частоты. Эффект был обнаружен физиком Джоном Ганном в 1963 году в двух полупроводниках с электронной проводимостью: арсениде галлия (GaAs) и фосфиде индия (InP). Эффект Ганна наблюдается также в электронных полупроводниках CdTe, ZnS, InSb, InAs, а также в германии с дырочной проводимостью.