Асе́ев Александр Леонидович (р. 24 сентября 1946, Улан-Удэ) — российский учёный, председатель Сибирского отделения РАН (с 2008), вице-президент Российской академии наук (с 2008), действительный член Российской академии наук (с 2006), член-корреспондент (с 2000), директор Института физики полупроводников СО РАН с 1998 по 2013, доктор физико-математических наук; специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности.
Под руководством А.Л. Асеева в Институте физики полупроводников был создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур; в структурах с двумерным электронным газом исследованы резонансные явления при квантовом транспорте носителей заряда. А.Л. Асеев осуществил работы по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и исследованию атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии. Он разработал технологию молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.