Антисегнетоэлектрики, диэлектрики, имеющие спонтанно-поляризованные элементарные ячейки, направления спонтанной поляризации в которых антипараллельны (в отличие от сегнетоэлектриков, обладающих макроскопической спонтанной поляризацией). Диэлектрические аномалии, наблюдаемые в антисегнетоэлектриках, аналогичны аномалиям при сегнетоэлектрических переходах: для них характерно заметное изменение диэлектрической проницаемости при фазовом переходе, а также двойные петли гистерезиса.
В антисегнетоэлектриках при фазовых переходах исходные параэлектрические ячейки становятся поляризованными, но возникающее при этом «двойникование» на микроуровне (возникновение новых сверхструктурных элементарных ячеек) делает кристалл даже микроскопически неполяризованным: электрически нейтральная сверхструктурная ячейка антисегнетоэлеткрика образуется двумя элементарными ячейками. Чередующиеся диполи таких кристаллов ориентируются антипараллельно друг другу (подобно магнитным моментам в антиферромагнетике).
Фазовые переходы и доменная структура антисегнетоэлектриков оказывают существенное влияние на их поляризационные, пиро-, пьезоэлектрические, оптические и упругие свойства. В слабых полях антисегнетоэлектрики поляризуются как линейные диэлектрики. В отсутствии внешних воздействий антисегнетоэлеткрики пироэлектрическим эффектом не обладают.
Также как и сегнетоэлектрики, антисегнетоэлектрики различаются по механизму возникновения в них спонтанной поляризации. Антисегнетоэлектриком типа смещения является цирконат свинца PbZrO3, а антисегнетоэлектриком с упорядочивающимися элементами структуры является дигидрофосфат аммония NН4H2PО4.