Вход
Регистрация Зарегистрируйтесь, чтобы получить расширенные возможности...

КМОП

КМОП (CMOS, Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) — усовершенствованная (комплиментарная) технология создания логических электронных схем (интегральных схем) на основе метал-оксид-полупроводник (МОП); используется для производства микропроцессоров; оперативных запоминающих устройств (ОЗУ); CMOS RAM; микросхем, реализующих функцию часов реального времени (RTC, Real Time Clock) — RTC CMOS RAM; фоточувствительных точечных датчиков для цифровой фотографии — CMOS APS (Active Pixel Sensor). В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с другими технологиями (ТТЛ, ЭСЛ) является малое энергопотребление в статическом режиме — энергия потребляется только во время переключения состояний. Большинство логических микросхем, в том числе, процессоров, используют схемотехнику КМОП.
В 1996 году разрешающая способность КМОП-технологии составляла 0,5-0,3 мкм. К 1998 году при производстве микропроцессоров размер элементов сократился до 0,25 мкм. В 1999 году появились микросхемы, выполненные по 0,18 мкм технологии. В 2002 году на мировой рынок корпорацией Intel выпущены микропроцессоры Pentium 4 с размером микроэлемента 0,13 мкм (55 млн. транзисторов на кристалле). По этой же технологии (0,13 мкм с тактовыми частотами до 2,5 ГГц) выпускаются процессоры SPARC64V. Процессоры Intel Core 2 Duo изготавливаются по технологии 0,065 мкм.
В литографической части технологии производства микросхем использовалось глубокое ультрафиолетовое излучение (Deep Ultra Violet, DUV) с длиной волны 248 нм. Эта технология позволяет наносить на поверхность кристалла шаблон с минимальной шириной проводников 100 нм. Внедрение технологии литографии, получившей название EUV (Extreme Ultra Violet) — сверхжесткое ультрафиолетовое излучение, с длиной волны от 13 нм до 9 нм позволяет сократить ширину линии соответственно до 30 нм и 22 нм. Соответственно уменьшаются расстояния между элементами монтажа и размеры отдельных микроэлементов интегральных схем. Одновременно производится разработка новых материалов (диэлектриков и сплавов) для производства микротранзисторов, обладающих сверхвысокой производительностью. КМОП-технология с n-слоями металлизации (n-layer CMOS Tehnology) использует вентили на полевых транзисторах с изолированными затворами n- и p-типов; соединения между ними выполняются в различных n-слоях.
Статья находится в рубриках
Яндекс.Метрика