;

Егоров Антон Юрьевич

ЕГОРОВ Антон Юрьевич (р. 8 мая 1964 года, Ленинград) — российский ученый-физик, крупный специалист в области физики и технологии наногетероструктур полупроводниковых твердых растворов, приборов оптоэлектроники и микроэлектроники на их основе, член-корреспондент РАН. Научный сотрудник ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Редактировать

Образование

В 1981 году окончил физ.-мат. лицей № 239 Санкт-Петербурга. В 1986 году закончил Санкт-петербургский электротехнический институт. Доктор физико-математических наук. Тема докторской диссертации «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N — новый материал оптоэлектроники». (2011)
Заместитель руководителя центра нанотехнологий Академического университета, заведующий лабораторией наноэлектроники.
Читает в Академическом университете курс лекций по технологии полупроводников.
Научный сотрудник ФТИ им. А.Ф. Иоффе, лаборатории физики полупроводниковых гетероструктур (заведующий Ж.И. Алферов).
Редактировать

Научные интересы

Научные интересы связаны с экспериментальными исследованиями физических свойств новых полупроводниковых материалов, азотсодержащих твердых растворов GaAsN, InGaAsN, GaPN, GaAsPN, и композитных структур на их основе (гетероструктур), а также происходящих в них физических явлений, разработкой и исследованием технологических процессов получения этих полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, созданием и исследованием оригинальных полупроводниковых приборов, инжекционных лазеров на их основе.
Разработал технологию синтеза азотсодержащих полупроводниковых твердых растворов A3B5-N, позволяющая воспроизводимо получать слои и гетероструктуры нового материала с заданными физическими свойствами высокого структурного совершенства и управлять их химическим составом; разработал физические принципы работы и впервые создал высокоэффективные полосковые и вертикально-излучающие лазеры на базе гетероструктур азотосодержащих полупроводниковых твердых растворов для систем оптической передачи информации; разработал промышленную технологию полупроводниковых гетероструктур для новых изделий микроэлектроники специального и двойного применения, предназначенных для решения широкого круга экономических и оборонных задач РФ.
Редактировать

Библиография

  1. Из искры разгорится «Прамень». Российская газета. 22.02.2012
  2. Есть ли нет в стране науки, значит у нас нет страны. Советская Россия. 12.09.2013
  3. Телепрограмма «Специалисты будущего». Выпуск 34. Техническая физика. 16.08.2013

Избранные научные труды

  1. Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, А.Ю. Егоров и др. «Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками» 165 224–225 (1995)
  2. Алферов, Ж. И., Бимберг, Д., Егоров, А. Ю., Жуков, А. Е., Копьев, П. С., Леденцов, Н. Н., ... Хейденрайх, И. (1995). Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками. Успехи физических наук, 165 (2), 224-225.
  3. Zhukov, A. E., Ustinov, V. M., Egorov, A. Y., Kovsh, A. R., Tsatsul, A. F., Ledentsov, N. N., ... Alferov, Z. I. (1997). Negative characteristic temperature of InGaAs quantum dot injection laser. Japanese journal of applied physics, 36(6), 4216-4218.
  4. Ustinov, V. M., Egorov, A. Y., Odnoblyudov, V. A., Kryzhanovskaya, N. V., Musikhin, Y. G., Tsatsul’nikov, A. F., Alferov, Z. I. (2003). InAs/InGaAsN quantum dots emitting at 1.55 μm grown by molecular beam epitaxy. Journal of crystal growth, 251(1), 388-391.
  5. Zaitsev, S. V., Gordeev, N. Y., Kopchatov, V. I., Ustinov, V. M., Zhukov, A. E., Egorov, A. Y., ... Kop'ev, P. S. (1999). Multi-Stacked InAs/InGaAs/InP Quantum Dot Laser (Jth= 11 A/cm2, λ= 1.9 µm (77 K)). Japanese journal of applied physics, 38(1S), 601.
Статья находится в рубриках
Яндекс.Метрика